China necesita fabricar chips de última generación para desafiar a Estados Unidos por la supremacía global. Para conseguirlo cuenta con dos «proyectos Manhattan» – El diario andino

China está poniendo todo sobre la mesa. No tienes elección. O desarrolla su propia tecnología de fabricación de semiconductores de vanguardia o perderá su lucha por la supremacía global con Estados Unidos. Sin chips avanzados 100% chinos Su capacidad militar, el desarrollo de sus modelos de inteligencia artificial (IA) y la competitividad de sus empresas tecnológicas se resentirán en el medio plazo. Huawei y SMIC fabrican circuitos integrados avanzados, pero utilizan máquinas de la empresa holandesa ASML y una tecnología conocida como patrones múltiples que compromete su competitividad.

Este escenario ha provocado que el Gobierno chino apoye con subvenciones muy jugosas a empresas que tienen capacidad para desarrollar equipos de fotolitografía de última generación, como SiCarrier, Shanghai Yuliangsheng, Shanghai Micro Electronics Equipment (SMEE), Huawei o SMIC. Sin embargo, su compromiso más convincente ha tomado la forma de dos proyectos extraordinariamente ambiciosos que buscan poner en manos de China la capacidad de producir semiconductores de vanguardia antes del final de la década actual.

Máquina SVU híbrida de Shenzhen

Hace exactamente un año, en marzo de 2025, se filtró que Huawei estaba probando el primer equipo de fotolitografía ultravioleta extremo (EUV) diseñado y fabricado íntegramente en China. Durante los últimos doce meses la información sobre esta máquina ha ido llegando muy lentamente, pero actualmente sabemos lo suficiente como para toma este proyecto muy en serio. Su propósito es poner en manos de los fabricantes chinos de circuitos integrados la posibilidad de producir chips altamente integrados sin utilizar equipos ASML.

Sin embargo, a diferencia de las máquinas EUV de esta empresa holandesa, el prototipo del proyecto liderado por Huawei Utiliza una fuente de luz ultravioleta del tipo LDP (descarga inducida por láser) y no una fuente de luz LPP (plasma generado por láser). Sobre el papel, la fuente LDP es capaz de generar luz UVE con una longitud de onda de 13,5 nmpor lo que este prototipo chino debería poder competir cara a cara con las máquinas de fotolitografía UVE de ASML. La fuente de radiación LDP es menos potente y más sencilla de implementar que una fuente LPP, aunque se ha filtrado que el Instituto Tecnológico de Harbin, situado en el noreste de China, está probando una fuente LPP de 100 vatios.

Lo más interesante de este proyecto es que, si nos atenemos a lo que sabemos, parece haber dado forma una máquina de fotolitografía híbrida que combina soluciones desarrolladas por China mediante ingeniería inversa del equipo de fotolitografía ultravioleta profunda (UVP) de ASML que posee e innovaciones ideadas por centros de investigación chinos. El Instituto de Óptica, Mecánica y Física de Changchun parece ser capaz de fabricar los espejos necesarios para una máquina EUV utilizando técnicas de pulido atómico con un rendimiento cercano al de los espejos producidos por ZEISS para ASML.

Por otro lado, la Universidad de Tsinghua ha presentado recientemente avances en fotoprotectores de politeluoxano diseñados específicamente para interactúa con la longitud de onda de 13,5 nm. Además, Xuzhou B&C Chemical, uno de los principales fabricantes de fotorresistentes de China, prevé que en un máximo de cinco años tendrá la capacidad de producir fotorresistentes KrF avanzados a gran escala (Fluoruro de criptón) y ArF (Fluoruro de argón). Sea como fuere, las filtraciones sostienen que las primeras pruebas de circuitos integrados será producido por esta máquina en 2028para que la fabricación a gran escala comience a más tardar en 2030.

El proyecto SSMB-UVE de la Universidad de Tsinghua sigue avanzando

Cada una de las máquinas UVE de ASML incorpora su propia fuente de luz ultravioleta, pero la Universidad de Tsinghua y la Academia de Ciencias de China buscan generar esta radiación, tan importante para producir chips avanzados usando un sincrotrónque no es más que un acelerador de partículas circular que se utiliza para analizar las propiedades de la materia a nivel atómico, como varios tipos de materiales, o incluso proteínas. Se llama HEPS (Fuente de fotones de alta energía o Fuente de fotones de alta energía).

SSMB-UVEcual es el nombre de este proyecto, proviene del nombre en ingles Microagrupación en estado estacionario-UVEque podemos traducir como Microclustering en estado estacionario para la generación de radiación UVE. A priori podemos pensar que un acelerador de partículas no tiene nada que ver con la fabricación de circuitos integrados, pero estaríamos pasando por alto algo muy importante: el sincrotrón HEPS tiene capacidad de producir luz UVE de alta potencia. De hecho, se trata de una fuente diseñada para generar una gran cantidad de radiación.

El plan de China es colocar varias plantas de fabricación de semiconductores alrededor del acelerador de partículas al que el sincrotrón entregará luz EUV de la misma manera que una planta de energía entrega electricidad a sus clientes. Las filtraciones aseguran que este proyecto ya ha terminado las fases de verificación de los haces de partículas, aunque en principio nada parece indicar que este sincrotrón pueda utilizarse para producir circuitos integrados a gran escala en el corto plazo.

Es de suponer que la máquina EUV híbrida de Shenzhen estará lista antes que el proyecto SSMB-UVE, pero el camino de este último, si finalmente llega a buen puerto, será mucho más largo porque aspira a poner en manos de China una fuente de radiación UVE de última generación.

Imagen | Generado por con Géminis

En | TSMC reconoce que se ha planteado sacar sus fábricas de Taiwán. Es imposible por una buena razón.

En | El cuello de botella que se avecina en la IA no es ni la RAM ni el gas: es que el nodo N3 de TSMC está absolutamente saturado